Onsemi booste l’innovation en carbure de silicium pour propulser la transition vers l’électrification

Optimisation de l’efficacité énergétique avec les MOSFET EliteSiC M3e : Réduction des pertes et amélioration des performances

Face à la montée des crises climatiques et à l’augmentation rapide de la demande énergétique mondiale, les gouvernements et les industries se mobilisent pour atteindre des objectifs climatiques ambitieux. L’électrification et l’utilisation accrue des énergies renouvelables sont essentielles pour réduire les émissions de carbone et assurer un avenir durable.

Les MOSFET EliteSiC M3e : Une avancée majeure dans les semi-conducteurs de puissance

Pour accélérer cette transition énergétique, onsemi (Nasdaq : ON) présente sa dernière génération de MOSFET en carbure de silicium : les EliteSiC M3e. Cette nouvelle plateforme technologique promet une amélioration significative de l’efficacité énergétique des applications gourmandes en énergie. En outre, onsemi prévoit de lancer plusieurs générations supplémentaires d’ici 2030 pour répondre aux besoins croissants du marché.

Simon Keeton, Group President – Power Solutions Group chez onsemi, explique : « L’avenir de l’électrification repose sur des semi-conducteurs de puissance avancés. Les infrastructures actuelles ne peuvent pas satisfaire la demande mondiale croissante en intelligence et en mobilité électrifiée sans innovations majeures dans le secteur énergétique. Nous visons à augmenter considérablement la densité de puissance grâce à notre feuille de route technologique sur le carbure de silicium jusqu’en 2030. »

Applications clés des MOSFET EliteSiC M3e

Les MOSFET EliteSiC M3e joueront un rôle crucial dans l’amélioration des performances et de la fiabilité des systèmes électriques modernes, tout en réduisant les coûts par kW. Ces dispositifs sont conçus pour fonctionner à des fréquences de commutation et des tensions élevées, tout en minimisant les pertes d’énergie. Ils sont donc idéaux pour des applications variées telles que les groupes motopropulseurs de véhicules électriques, les chargeurs rapides à courant continu, les onduleurs solaires et les solutions de stockage d’énergie. De plus, les MOSFET EliteSiC M3e favoriseront la transition vers des centres de données plus efficaces, répondant ainsi à la demande croissante en énergie des technologies d’intelligence artificielle.

Efficacité accrue grâce à la technologie EliteSiC M3e

La plateforme EliteSiC M3e d’onsemi offre des améliorations notables en matière de réduction des pertes de conduction et de commutation, atteignant jusqu’à 30 % et 50 % respectivement par rapport aux générations précédentes. Grâce à l’architecture planaire éprouvée sur le terrain et aux capacités de fabrication avancées d’onsemi, cette technologie assure robustesse et stabilité, ce qui en fait un choix privilégié pour les applications critiques d’électrification. En complément, onsemi propose un portefeuille élargi de technologies d’alimentation intelligentes, incluant des pilotes de grille, des convertisseurs DC-DC et des e-Fuses, permettant ainsi d’optimiser les systèmes en termes de coût et de performance.

Une feuille de route vers l’avenir énergétique

Avec une demande mondiale d’énergie en forte croissance, il est crucial d’augmenter la densité de puissance des semi-conducteurs. onsemi, leader de l’innovation dans le domaine du carbure de silicium, continue de développer des architectures de puces et des techniques de conditionnement avancées pour répondre à cette demande. En optimisant les structures cellulaires et en appliquant les concepts de la loi de Moore au développement du carbure de silicium, onsemi prévoit de lancer plusieurs générations de produits EliteSiC à un rythme accéléré jusqu’en 2030.

Dr. Mrinal Das, Senior Director of Technical Marketing, Power Solutions Group chez onsemi, souligne : « Grâce à notre maîtrise des matériaux, des composants en carbure de silicium et des boîtiers, nous pouvons contrôler le processus de conception et de fabrication, et ainsi commercialiser les nouvelles générations plus rapidement. »

Le MOSFET EliteSiC M3e, disponible en boîtier TO-247-4L standard de l’industrie, est actuellement en cours d’échantillonnage.